DMN3150L-7

Diodes(达尔(美台)) · 功率MOSFET

型号参数与资料

型号
DMN3150L-7
品牌
Diodes(达尔(美台))
类别
功率MOSFET
系列DMN
高度1 mm
长度2.9 mm
宽度1.3 mm
配置Single
典型接通延迟时间1.14 ns
上升时间3.49 ns
通道数量1 Channel
典型关闭延迟时间15.02 ns
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min)2.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)305pF @ 5V
栅极电压Vgs±12V
Pd-功率耗散(Max)1.4W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs85mΩ@3.6A,4.5V
工作温度-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳SOT-23
FET类型N-Channel
漏源极电压Vds28V
连续漏极电流Id3.8A

功率MOSFET   2.9mm SOT-23

资料中的环保标注:无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。

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