| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | DMN2990UFZ-7B |
| 说明 | 小信号MOSFET X2-DFN |
| 起订量 | 10 |
| 最小包 | 10 |
| 现货 | 471 [库存更新时间：2024-04-18] |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.2V,4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 0.5nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 55.2pF @ 16V |
| 栅极电压Vgs | ±8V |
| Pd-功率耗散(Max) | 320mW(Ta) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 990mΩ@100mA,4.5V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | X2-DFN |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 0.25A |
IC普拉斯 元器件现货
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