参数 | 值 |
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产品 | MOSFET |
型号编码 | DMN2600UFB-7 |
说明 | MOSFET X1-DFN1006-3 |
起订量 | 3 |
最小包 | 3 |
现货 | 460 [库存更新时间:2024-04-30] |
FET类型 | N-Channel |
Pd-功率耗散(Max) | 540mW(Ta) |
RdsOn(Max)@Id,Vgs | 350mΩ@200mA,4.5V |
栅极电压Vgs | ±8V |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 70.13 pF @ 15 V |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 0.85 nC @ 4.5 V |
封装/外壳 | X1-DFN1006-3 |
工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
漏源极电压Vds | 25V |
连续漏极电流Id | 1.3A(Ta) |
驱动电压 | 1.8V,4.5V |