参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMN2058U-7
说明	功率MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	175 [库存更新时间：2025-04-04]
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	7.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	281pF @ 10V
栅极电压Vgs	±12V
Pd-功率耗散(Max)	1.13W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	4.6A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	7.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	281pF @ 10V
Rds On(Max)@Id,Vgs	35mΩ@6A,10V