参数	值
产品	小信号MOSFET
型号编码	DMN2016UTS-13
说明	小信号MOSFET   TSSOP
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	175 [库存更新时间：2025-04-04]
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	16.5nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1495pF @ 10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TSSOP
连续漏极电流Id	8.58A
Pd-功率耗散(Max)	880mW
Rds On(Max)@Id,Vgs	16.5mΩ
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	8V
上升时间	11.66ns
下降时间	16.27ns
典型关闭延迟时间	59.38ns
典型接通延迟时间	10.39ns
系列	DMN2016
通道数量	2Channel
配置	Dual