参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	DMN2011UFDF-7
说明	通用MOSFET   6-UDFN
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6167 [库存更新时间：2024-05-09]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	14.2A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	56nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2248pF @ 10V
栅极电压Vgs	±12V
Pd-功率耗散(Max)	2.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.5m Ohms@7A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	6-UDFN