参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMN1045UFR4-7
说明	功率MOSFET   3-XFDFN
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6201 [库存更新时间：2025-04-04]
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	375pF @ 10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	3-XFDFN
连续漏极电流Id	3.2A
Pd-功率耗散(Max)	1.26W
Qg-栅极电荷	4.8nC
Rds On(Max)@Id,Vgs	25mΩ
漏源极电压Vds	12V
栅极电压Vgs	400mV
上升时间	25ns
下降时间	48ns
典型关闭延迟时间	93ns
典型接通延迟时间	7ns
系列	DMN10
通道数量	1Channel
配置	Single