参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	DMN1019USN-7
说明	通用MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SC-59
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	189 [库存更新时间：2025-04-18]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	9.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.2V,2.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	50.6nC @ 8V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2426pF @ 10V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	680mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	10m Ohms@9.7A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	SC-59
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	12V
连续漏极电流Id	9.3A