参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	DMN3033LSN-7
说明	功率MOSFET   3mm SC-59
品牌	Diodes(达尔（美台）)
现货	195 [库存更新时间：1970-01-01]
系列	DMN
高度	1.1 mm
长度	3 mm
宽度	1.6 mm
配置	Single
典型接通延迟时间	11 ns
上升时间	7 ns
通道数量	1 Channel
典型关闭延迟时间	63 ns
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	10.5nC @ 5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	755pF @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	1.4W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	30mΩ@6A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SC-59
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	6A