参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	DMG4511SK4-13
说明	通用MOSFET   TO-252-4L DPAK
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	0
最小包	0
现货	195 [库存更新时间：2025-04-08]
FET类型	N和P沟道,共漏
连续漏极电流Id	5.3A,5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	35m Ohms@8A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	18.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	850pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	1.54W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-252-4L
封装/外壳	DPAK
FET类型	N+P-Channel
漏源极电压Vds	35V
连续漏极电流Id	8.6A/7.8A