参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	BSZ0901NSI
说明	功率MOSFET   3.3mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	5000
最小包	5000
现货	10286 [库存更新时间：2024-06-06]
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2600pF @ 15V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
漏源极电压Vds	30V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	41nC @ 10V
通道数量	1Channel
连续漏极电流Id	40A
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.1mΩ
栅极电压Vgs	20V
Qg-栅极电荷	41nC
配置	SingleQuadDrainTripleSource
Pd-功率耗散(Max)	69W
高度	1mm
长度	3.3mm
FET类型	N-Channel
正向跨导 - 最小值	50S
下降时间	4.6ns
上升时间	7.2ns
典型关闭延迟时间	27nS
典型接通延迟时间	5nS