参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSZ0904NSIATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 TSDSON 3.4x3.4x1.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-10]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	18A(Ta),40A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	11nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1463pF @ 15V
FET类型	肖特基二极管(体)
Pd-功率耗散(Max)	2.1W(Ta),37W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	4 毫欧 @ 30A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳	PG-TSDSON-8
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	40 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.7 m0hms
栅极电压Vgs	2V
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TSDSON
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	37W
高度	1.10mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	3.4 x 3.4 x 1.1mm
宽度	3.4mm
系列	OptiMOS
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1100 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	16 ns
典型接通延迟时间	3.3 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C