参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSZ086P03NS3EGATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8 TSDSON 3.4mm 3.4x3.4x1.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	13.5A(Ta),40A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	6V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.1V @ 105µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	57.5nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	4785pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	2.1W(Ta),69W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.6 毫欧 @ 20A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TSDSON-8
封装/外壳	PG-TSDSON-8
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	40 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	13.4 m0hms
栅极电压Vgs	1.9V
最小栅阈值电压	3.1V
栅极电压Vgs	-25 V、+25 V
封装/外壳	TSDSON
引脚数目	8
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	69W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	3.4mm
高度	1.10mm
系列	OptiMOS P
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	3190 pF @ -15 V
典型关断延迟时间	35 ns
典型接通延迟时间	16 ns
封装/外壳	3.4 x 3.4 x 1.1mm