参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSS159NH6906XTSA1
说明	通用MOSFET   PG-SOT23-3 TO-236-3 SOT-23 2.9x1.3x1mm 2.9mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	230mA(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	0V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.4V @ 26µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.9nC @ 5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	44pF @ 25V
FET类型	耗尽模式
Pd-功率耗散(Max)	360mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.5 欧姆 @ 160mA,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SOT23-3
封装/外壳	TO-236-3
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	5V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	130 mA
漏源极电压Vds	60V
Rds On(Max)@Id,Vgs	8 0hms
栅极电压Vgs	2.4V
最小栅阈值电压	3.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	SOT-23
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	消耗
类别	小信号
系列	SIPMOS
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	29 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	9 ns
典型接通延迟时间	3.1 ns
宽度	1.3mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	1mm
最高工作温度	+150 °C
封装/外壳	2.9 x 1.3 x 1mm
最低工作温度	-55 °C
长度	2.9mm