参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	BSR802NL6327HTSA1
说明	通用MOSFET   PG-SC-59 PG-SC59-3 SOT-346(SC-59) 3x1.1x1.6mm 3mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	290 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	3.7A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,2.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	750mV @ 30µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.7nC @ 2.5V
栅极电压Vgs	±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1447pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	500mW(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	23 毫欧 @ 3.7A,2.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-SC-59
封装/外壳	PG-SC59-3
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	3.7 A
漏源极电压Vds	20 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	32 m0hms
栅极电压Vgs	0.75V
最小栅阈值电压	0.3V
栅极电压Vgs	-8 V、+8 V
封装/外壳	SOT-346 (SC-59)
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	小信号
宽度	1.1mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
高度	1.6mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	16S
正向二极管电压	1.1V
系列	OptiMOS 2
封装/外壳	3 x 1.1 x 1.6mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1013 pF @ 10 V
典型关断延迟时间	26 ns
典型接通延迟时间	9.8 ns
长度	3mm