| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | BSL211SP |
| 说明 | 功率MOSFET PG-TSOP6-6 3mm |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 290 [库存更新时间:2026-01-22] |
| 驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 2.5V,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 25µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.4nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 654pF @ 15V |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | PG-TSOP6-6 |
| 通道数量 | 1Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 4.7A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 67mΩ |
| 栅极电压Vgs | 12V |
| 配置 | SingleQuadDrain |
| Pd-功率耗散(Max) | 2W |
| 高度 | 1.10mm |
| 长度 | 3mm |
| 系列 | OptiMOSP |
| FET类型 | P-Channel |
| 宽度 | 1.5mm |
| 下降时间 | 23.3ns |
| 上升时间 | 13.9ns |
| 典型关闭延迟时间 | 25ns |
| 典型接通延迟时间 | 8.7ns |


