参数 | 值 |
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产品 | 通用MOSFET |
型号编码 | BSH111,215 |
说明 | 通用MOSFET TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TO-236AB |
品牌 | Nexperia(安世) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 762 [库存更新时间:2025-04-20] |
系列 | TrenchMOS™ |
连续漏极电流Id | 335mA(Ta) |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 1.8V,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.3V @ 1mA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 1nC @ 8V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 40pF @ 10V |
栅极电压Vgs | ±10V |
Pd-功率耗散(Max) | 830mW(Tc) |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 4 Ohms@500mA,4.5V |
工作温度 | -65°C~150°C(TJ) |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/外壳 | TO-236AB |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 55V |
连续漏极电流Id | 0.335A |