型号参数与资料
- 型号
- BSH111BKR
- 品牌
- Nexperia(安世)
- 类别
- 小信号MOSFET
| 封装/外壳 | SOT23 |
|---|---|
| FET类型 | N-Channel |
| Rds On(max)@Id,Vgs | 5000mΩ@2.5V,4000mΩ@4.5V |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.302W |
| 工作温度 | 150℃ |
| 栅极电压Vgs | 10V,1V |
| 漏源极电压Vds | 55V |
| 输入电容 | 19.1pF |
| 输出电容 | 2.7pF |
| 连续漏极电流Id | 0.21A |
小信号MOSFET SOT23
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。