| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | APTM100TA35SCTPG |
| 说明 | 通用MOSFET SP6-P |
| 品牌 | Microsemi(美高森美) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 119 [库存更新时间：2025-04-06] |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| FET类型 | 6N-沟道(3相桥) |
| 漏源极电压Vds | 1KV |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 420m Ohms@11A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 2.5mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 186nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 5200pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 390W |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SP6-P |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 1000V |
| 连续漏极电流Id | 22A |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsAPTM100TA35SCTPG
咨询热线：13172425630
产品概述
相关产品