参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AON2801 |
说明 | 功率MOSFET DFN2x2 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6376 [库存更新时间:2025-04-04] |
封装/外壳 | DFN 2x2 |
FET类型 | P-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | -20V |
栅极电压Vgs | 8V |
连续漏极电流Id | -3A |
Pd-功率耗散(Max) | 1.1W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 120mΩ@4.5V |
Rds On(Max)@2.5V | 160mΩ |
Rds On(Max)@1.8V | 200mΩ |
VGS(th) | -1 |
Ciss(pF) | 540 |
Coss(pF) | 90 |
Crss(pF) | 63 |
Qg*(nC) | 5 |
Qgd(nC) | 1 Ohms |
Td(on)(ns) | 5 |
Td(off)(ns) | 28.5 |
Trr(ns) | 21 |
Qrr(nC) | 9.1 |