型号参数与资料
- 型号
- AON2409
- 品牌
- AOS(万国半导体)
- 类别
- 功率MOSFET
| 封装/外壳 | DFN 2x2B |
|---|---|
| FET类型 | P-Channel |
| ESD Diode | No |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | -30V |
| 栅极电压Vgs | 20V |
| 连续漏极电流Id | -8A |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.8W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 32mΩ@10V |
| Rds On(Max)@4.5V | 53mΩ |
| VGS(th) | -2.3 |
| Ciss(pF) | 530 |
| Coss(pF) | 114 |
| Crss(pF) | 75 |
| Qg*(nC) | 6 |
| Qgd(nC) | 3 |
| Td(on)(ns) | 7.7 |
| Td(off)(ns) | 26.3 |
| Trr(ns) | 12.2 |
| Qrr(nC) | 25.4 |
功率MOSFET DFN2x2B
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。