参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AON2409 |
说明 | 功率MOSFET DFN2x2B |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6376 [库存更新时间:2025-04-09] |
封装/外壳 | DFN 2x2B |
FET类型 | P-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | -30V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | -8A |
Pd-功率耗散(Max) | 2.8W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 32mΩ@10V |
Rds On(Max)@4.5V | 53mΩ |
VGS(th) | -2.3 |
Ciss(pF) | 530 |
Coss(pF) | 114 |
Crss(pF) | 75 |
Qg*(nC) | 6 |
Qgd(nC) | 3 |
Td(on)(ns) | 7.7 |
Td(off)(ns) | 26.3 |
Trr(ns) | 12.2 |
Qrr(nC) | 25.4 |