型号参数与资料
- 型号
- AON2800
- 品牌
- AOS(万国半导体)
- 类别
- 未分类
| FET类型 | 2 N 沟道(双)共漏 |
|---|---|
| FET类型 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 4.5A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 47 毫欧 @ 4A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 435pF @ 10V |
| 功率 | 1.5W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/外壳 | 6-DFN-EP(2x2) |
| 安装 | SMD |
| 封装/外壳 | DFN6 |
| FET类型 | N-MOSFET x2 |
| 极化 | 单极 |
| 栅极-源极电压 | ±8V |
| 漏极-源极电压 | 20V |
| 漏极电流 | 3A |
| 耗电 | 0.95W |
未分类 6-WDFN裸露焊盘 6-DFN-EP(2x2) DFN6
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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