参数	值
产品	未分类
型号编码	AON2800
说明	未分类   6-WDFN裸露焊盘 6-DFN-EP(2x2) DFN6
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：2026-09-25]
FET类型	2 N 沟道(双)共漏
FET类型	逻辑电平门
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	4.5A
Rds On(Max)@Id,Vgs	47 毫欧 @ 4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	435pF @ 10V
功率	1.5W
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
封装/外壳	6-DFN-EP(2x2)
安装	SMD
封装/外壳	DFN6
FET类型	N-MOSFET x2
极化	单极
栅极-源极电压	±8V
漏极-源极电压	20V
漏极电流	3A
耗电	0.95W