参数	值
产品	未分类
型号编码	AON2707
说明	未分类   6-DFN-EP(2x2) 6-WDFN裸露焊盘 DFN6
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6376 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	4A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC @ 10V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	305pF @ 15V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	2.8W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	117 毫欧 @ 4A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	6-DFN-EP(2x2)
封装/外壳	6-WDFN 裸露焊盘
安装	SMD
封装/外壳	DFN6
开启状态电阻	117m Ohms
FET类型	P-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±12V
漏极-源极电压	-30V
漏极电流	-3A
耗电	1.8W