| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | AON1605 |
| 说明 | 小信号MOSFET DFN1.0x0.6 |
| 品牌 | AOS(万国半导体) |
| 起订量 | 10000 |
| 最小包 | 10000 |
| 现货 | 20376 [库存更新时间：2026-02-02] |
| 封装/外壳 | DFN 1.0x0.6 |
| FET类型 | P-Channel |
| ESD Diode | Yes |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | -20V |
| 栅极电压Vgs | 8V |
| 连续漏极电流Id | -0.7A |
| Pd-功率耗散(Max) | 0.9W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 710mΩ@4.5V |
| Rds On(Max)@2.5V | 930mΩ |
| Rds On(Max)@1.8V | 1250mΩ |
| VGS(th) | -1.1 |
| Ciss(pF) | 50 |
| Coss(pF) | 12 |
| Crss(pF) | 7.5 |
| Qg*(nC) | 0.75 |
| Qgd(nC) | 0.2 |
| Td(on)(ns) | 6 |
| Td(off)(ns) | 22 Ohms |
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