| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | AOI4N60 |
| 说明 | 功率MOSFET TO-251A |
| 品牌 | AOS(万国半导体) |
| 起订量 | 3500 |
| 最小包 | 3500 |
| 现货 | 7376 [库存更新时间：2024-05-16] |
| 封装/外壳 | TO-251A |
| FET类型 | N-Channel |
| ESD Diode | No |
| Schottky Diode | No |
| 漏源极电压Vds | 600V |
| 栅极电压Vgs | 30V |
| 连续漏极电流Id | 4A |
| Pd-功率耗散(Max) | 104W |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 2300mΩ@10V |
| VGS(th) | 4.5 |
| Ciss(pF) | 528 |
| Coss(pF) | 53 |
| Crss(pF) | 4.8 |
| Qg*(nC) | 12* |
| Qgd(nC) | 4.4 |
| Td(on)(ns) | 17 |
| Td(off)(ns) | 34 |
| Trr(ns) | 190 |
| Qrr(nC) | 2400 |
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