参数	值
产品	未分类
型号编码	AOU1N60
说明	未分类   TO-251-3 TO-251-3短引线,IPak,TO-251AA TO251
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	4000
最小包	4000
现货	8376 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	1.3A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	8nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	160pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
功率	45W
Rds On(Max)@Id,Vgs	9 欧姆 @ 650mA,10V
工作温度	-50°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-251-3
封装/外壳	TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
安装	THT
封装/外壳	TO251
开启状态电阻	9000m Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±30V
漏极-源极电压	600V
漏极电流	0.8A