参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AOB256L
说明	功率MOSFET   TO-263
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	800
最小包	800
现货	1976 [库存更新时间：2024-06-07]
封装/外壳	TO-263
FET类型	N-Channel
ESD Diode	No
Schottky Diode	No
漏源极电压Vds	150V
栅极电压Vgs	20V
连续漏极电流Id	19A
Pd-功率耗散(Max)	83W
Rds On(Max)@Id,Vgs	85mΩ@10V
Rds On(Max)@4.5V	100mΩ
VGS(th)	2.8
Ciss(pF)	1165
Coss(pF)	61.5
Crss(pF)	2.5
Qg*(nC)	7
Qgd(nC)	1.2
Td(on)(ns)	6.5
Td(off)(ns)	23
Trr(ns)	37
Qrr(nC)	265