参数	值
产品	未分类
型号编码	AOB11S65L
说明	未分类   TO-263(D²Pak) TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB TO263
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	800
最小包	800
现货	1976 [库存更新时间：2024-05-30]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	13.2nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	646pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
功率	198W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	399 毫欧 @ 5.5A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263(D²Pak)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
安装	SMD
封装/外壳	TO263
开启状态电阻	1.11 Ohms
FET类型	N-MOSFET
极化	单极
栅极-源极电压	±30V
漏极-源极电压	650V
漏极电流	8A
耗电	198W