参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AOB1608L |
说明 | 功率MOSFET TO-263 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 800 |
最小包 | 800 |
现货 | 1976 [库存更新时间:2025-04-03] |
封装/外壳 | TO-263 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 60V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | 140A |
Pd-功率耗散(Max) | 333W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 7.3mΩ@10V |
VGS(th) | 3.7 |
Ciss(pF) | 3069 |
Coss(pF) | 721 |
Crss(pF) | 56 |
Qg*(nC) | 69 |
Qgd(nC) | 21 |
Td(on)(ns) | 18 |
Td(off)(ns) | 47 |
Trr(ns) | 40 |
Qrr(nC) | 355 |