参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	AOB286L
说明	功率MOSFET   TO-263
品牌	AOS(万国半导体)
起订量	800
最小包	800
现货	1976 [库存更新时间：2026-01-29]
封装/外壳	TO-263
FET类型	N-Channel
ESD Diode	No
Schottky Diode	No
漏源极电压Vds	80V
栅极电压Vgs	20V
连续漏极电流Id	70A
Pd-功率耗散(Max)	167W
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.7mΩ@10V
Rds On(Max)@4.5V	7.6mΩ
VGS(th)	3.3
Ciss(pF)	3142
Coss(pF)	435
Crss(pF)	43
Qg*(nC)	44.5*
Qgd(nC)	8
Td(on)(ns)	13.5
Td(off)(ns)	32
Trr(ns)	29
Qrr(nC)	161