IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 小信号MOSFET | RHP030N03T100 | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ@3A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3A | |
| 小信号MOSFET | PMZ1000UN,315 | 封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1100mΩ@2.5V,1000mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:43pF 输出电容:7.7pF 连续漏极电流Id:0.48A | |
| 小信号MOSFET | IRLML5103TRPBF | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@600mA,10V FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.76A 封装/外壳:Micro3™/SOT-23 | |
| 小信号MOSFET | NX3008PBKW,115 | 封装/外壳:SOT323 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4.1Ω@200mA,4.5V Pd-功率耗散(Max):0.26W 工作温度:-55°C~150°C 栅极电压Vgs:±8V 漏源极电压Vds:-30V 输入电容:31pF 输出电容:6.5pF 连续漏极电流Id:-0.2A |