IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 小信号MOSFET | SI2302DDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 4.5V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):710mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:57mΩ 漏源极电压Vds:0.85V |
| 小信号MOSFET | BSH111BKR | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5000mΩ@2.5V,4000mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.302W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:10V,1V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:19.1pF 输出电容:2.7pF 连续漏极电流Id:0.21A |
| 小信号MOSFET | BSN20BKR | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4000mΩ@2.5V,3200mΩ@5V,2800mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.31W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:20.2pF 输出电容:3.1pF 连续漏极电流Id:0.265A |
| 小信号MOSFET | BSH205G2R | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:230mΩ@2.5V,170mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.48W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.7V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:418pF 输出电容:45pF 连续漏极电流Id:-2.3A |
| 小信号MOSFET | BSH111BKR | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5000mΩ@2.5V,4000mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.302W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:10V,1V 漏源极电压Vds:55V 输入电容:19.1pF 输出电容:2.7pF 连续漏极电流Id:0.21A |
| 小信号MOSFET | BSS138P,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2000mΩ@5V,1600mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.2V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:38pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.36A |
| 小信号MOSFET | NX7002AK,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:TO-236AB FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5200mΩ@5V,4500mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.265W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.6V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:11pF 输出电容:3.4pF 连续漏极电流Id:0.3A |
| 小信号MOSFET | NX7002BKR | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3200mΩ@5V,2800mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.31W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.6V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:23.6pF 输出电容:4.6pF 连续漏极电流Id:0.27A |
| 小信号MOSFET | NX3008PBKS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:6500mΩ@2.5V,4100mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.28W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.9V 漏源极电压Vds:-30V 输入电容:31pF 输出电容:6.5pF 连续漏极电流Id:-0.2A |
| 小信号MOSFET | NX3008NBK,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:TO-236AB FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2100mΩ@2.5V,1400mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.9V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:34pF 输出电容:6.5pF 连续漏极电流Id:0.4A |
| 小信号MOSFET | PMV28UNEAR | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:32mΩ@4.5V,45mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.7V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:490pF 输出电容:86pF 连续漏极电流Id:4.7A |
| 小信号MOSFET | PMDPB55XP,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1118 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:70mΩ@4.5V,90mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.49W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:12V,-0.65V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:785pF 输出电容:80pF 连续漏极电流Id:-4.5A |
| 小信号MOSFET | PMV160UP,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:210mΩ@4.5V,270mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.335W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.7V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:365pF 输出电容:42pF 连续漏极电流Id:-1.2A |
| 小信号MOSFET | PMZ350UPEYL | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:450mΩ@4.5V,645mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.7V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:127pF 输出电容:34pF 连续漏极电流Id:-1.4A |
| 小信号MOSFET | PMV32UP,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:36mΩ@4.5V,46mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.7V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:1890pF 输出电容:175pF 连续漏极电流Id:-4A |
| 小信号MOSFET | PMZB670UPE,315 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883B FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:850mΩ@4.5V,1500mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.9V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:58pF 输出电容:21pF 连续漏极电流Id:-0.68A |
| 小信号MOSFET | BSS138LT1G | ON(安森美) | 系列:BSS 高度:0.94 mm 长度:2.9 mm 宽度:1.3 mm 配置:Single 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:20 ns 正向跨导-最小值:0.1 S 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):225mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5Ω@200mA,5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | BSS138K-7 | Diodes(达尔（美台）) | |
| 小信号MOSFET | 2N7002,215 | Nexperia(安世) | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:5000mΩ@10V,5300mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.83W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:30V,2V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:31pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.3A |
| 小信号MOSFET | 2N7002P,235 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:2000mΩ@5V,1600mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.75V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:30pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.36A |
| 小信号MOSFET | BSS84AK,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:TO-236AB FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8500mΩ@5V,7500mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,-1.6V 漏源极电压Vds:-50V 输入电容:24pF 输出电容:4.5pF 连续漏极电流Id:-0.18A |
| 小信号MOSFET | BSS138BKS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1600mΩ@10V,2200mΩ@4.5V,6500mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.445W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:1.1V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:42pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.32A |
| 小信号MOSFET | BST82,215 | Nexperia(安世) | FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:10mΩ@5V Pd-功率耗散(Max):0.83W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,2V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:25pF 输出电容:8pF 连续漏极电流Id:0.19A |
| 小信号MOSFET | BSH114,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:500mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.83W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,3V 漏源极电压Vds:100V 输入电容:138pF 输出电容:21pF 连续漏极电流Id:0.85A |
| 小信号MOSFET | BSS84AKS,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:8500mΩ@5V,7500mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.28W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,-1.6V 漏源极电压Vds:-50V 输入电容:24pF 输出电容:4.5pF 连续漏极电流Id:-0.16A |
| 小信号MOSFET | RSR020N06TL | ROHM(罗姆) | 系列:RSR 配置:Single 通道数量:1 Channel 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.9nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:180pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:170mΩ@2A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2A |
| 小信号MOSFET | RQ6P015SPTR | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:1.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:322nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:950pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):600mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:470mΩ@1.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6,TSOT-23-6 |
| 小信号MOSFET | RQ5H020SPTL | ROHM(罗姆) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:45V 连续漏极电流Id:2A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.5nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:500pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@2A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 |
| 小信号MOSFET | RK7002BMT116 | ROHM(罗姆) | 系列:RK 下降时间:28 ns 典型接通延迟时间:3.5 ns 上升时间:5 ns 通道数量:1 Channel 典型关闭延迟时间:18 ns 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4Ω@250mA,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 小信号MOSFET | PMCM650CUNEZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:NAX000 FET类型:N-Channel Pd-功率耗散(Max):0.556W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.7V,8V 输出电容:2pF |
| 小信号MOSFET | PMCM6501UPEZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:NAX000 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:44mΩ@2.5V,30mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.556W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.6V,8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:1420pF 输出电容:210pF 连续漏极电流Id:-7.3A |
| 小信号MOSFET | PMCM6501UNEZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:NAX000 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:25mΩ@2.5V,21mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.556W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.6V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:105pF 输出电容:19pF 连续漏极电流Id:8.7A |
| 小信号MOSFET | PMCM4402UPEZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:NAX000 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:110mΩ@2.5V,80mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.4W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:-0.6V,8V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:450pF 输出电容:72pF 连续漏极电流Id:-4.2A |
| 小信号MOSFET | PMCM4401UNEZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:NAX000 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:64mΩ@2.5V,52mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.4W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:0.6V,8V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:315pF 输出电容:70pF 连续漏极电流Id:5.4A |
| 小信号MOSFET | NX3008NBKW,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1400mΩ@4.5V,2100mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.26W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.9V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:34pF 输出电容:7pF 连续漏极电流Id:0.35A |
| 小信号MOSFET | NX7002BKSX | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:3200mΩ@5V,2800mΩ@10V Pd-功率耗散(Max):0.285W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.6V 漏源极电压Vds:60V 输入电容:23.6pF 输出电容:4.6pF 连续漏极电流Id:0.24A |
| 小信号MOSFET | NX3008CBKV,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT666 FET类型:N+P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:1400mΩ@4.5V,6500mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.33W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.9V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:34pF 输出电容:6.5pF 连续漏极电流Id:0.4A |
| 小信号MOSFET | NX3020NAKW,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT323 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:4500mΩ@10V,5200mΩ@4.5V,13000mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.26W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.2V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:13pF 输出电容:2.6pF 连续漏极电流Id:0.18A |
| 小信号MOSFET | 2N7002K-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:0.6nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:30pF @ 25V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 连续漏极电流Id:300mA Pd-功率耗散(Max):0.35W Qg-栅极电荷:0.4nC Rds On(Max)@Id,Vgs:2Ω 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1V 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:25ns 宽度:1.60mm 正向跨导 - 最小值:100mS 系列:2N7002K 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.45mm |
| 小信号MOSFET | PMDXB550UNEZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1216 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:670mΩ@4.5V,900mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.285W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:30pF 输出电容:6pF 连续漏极电流Id:0.59A |
| 小信号MOSFET | PMDXB600UNEZ | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1216 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:620mΩ@4.5V,850mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.265W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.7V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:21.3pF 输出电容:5.4pF 连续漏极电流Id:0.6A |
| 小信号MOSFET | PMFPB8032XP,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT1118 Rds On(max)@Id,Vgs:102mΩ@4.5V,125mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.48W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:12V,-0.6V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:550pF 输出电容:63pF 连续漏极电流Id:-3.7A FET类型:N-Channel |
| 小信号MOSFET | PMV45EN2R | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:42mΩ@10V,54mΩ@4.5V Pd-功率耗散(Max):0.51W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:20V,1.5V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:209pF 输出电容:50pF 连续漏极电流Id:5.1A |
| 小信号MOSFET | PMZB290UNE,315 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883B FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:380mΩ@4.5V,620mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.75V 漏源极电压Vds:20V 输入电容:55pF 输出电容:15pF 连续漏极电流Id:1A |
| 小信号MOSFET | PMV65XP,215 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT23 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:74mΩ@4.5V,92mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.48W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:12V,-0.65V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:744pF 输出电容:65pF 连续漏极电流Id:-2.8A |
| 小信号MOSFET | PMZ390UNEYL | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883 FET类型:N-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:470mΩ@4.5V,620mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.35W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,0.7V 漏源极电压Vds:30V 输入电容:41pF 输出电容:6pF 连续漏极电流Id:0.9A |
| 小信号MOSFET | PMZB350UPE,315 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT883B FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:450mΩ@4.5V,645mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.36W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:8V,-0.7V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:127pF 输出电容:34pF 连续漏极电流Id:-1.4A |
| 小信号MOSFET | SI1902CDL-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:3nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:62pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):420mW 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70-6 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:235mΩ 漏源极电压Vds:1.5V |
| 小信号MOSFET | SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:850mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.5nC @ 4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 连续漏极电流Id:2.9A Pd-功率耗散(Max):860mW Qg-栅极电荷:5.5nC Rds On(Max)@Id,Vgs:57mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:400mV 上升时间:7ns 下降时间:7ns 典型关闭延迟时间:30ns 典型接通延迟时间:8ns 宽度:1.60mm 正向跨导 - 最小值:13S 系列:SI2 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.45mm |
| 小信号MOSFET | SI2328DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 连续漏极电流Id:1.15A Pd-功率耗散(Max):0.73W Qg-栅极电荷:3.3nC Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:11ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:9ns 典型接通延迟时间:7ns 宽度:1.60mm 正向跨导 - 最小值:4S 系列:SI2 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.45mm |
| 小信号MOSFET | SI8816EDB-T2-E1 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:N-Channel 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:195pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:109mΩ@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:MicroFoot-4 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:109mΩ |
| 小信号MOSFET | 2N7002LT1G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:115mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:225mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.115A 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA |
| 小信号MOSFET | 2SK3019TL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:8Ω@10mA,4V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.1A |
| 小信号MOSFET | EM6K6T2R | ROHM(罗姆) | 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:EMT 连续漏极电流Id:300mA Pd-功率耗散(Max):150mW Rds On(Max)@Id,Vgs:1Ω 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:300mV 上升时间:10ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:15ns 典型接通延迟时间:5ns 宽度:1.2mm 系列:EM6K6 通道数量:2Channel 配置:Dual 长度:1.60mm 高度:0.50mm |
| 小信号MOSFET | PMN42XPEAH | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT457 FET类型:P-Channel Rds On(max)@Id,Vgs:46mΩ@4.5V,64mΩ@2.5V Pd-功率耗散(Max):0.5W 工作温度:150℃ 栅极电压Vgs:12V,-1V 漏源极电压Vds:-20V 输入电容:1410pF 输出电容:207pF 连续漏极电流Id:-5.7A |
| 小信号MOSFET | SI1013CX-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:450mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:45pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):190mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:760mΩ@400mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-89 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.45A |
| 小信号MOSFET | DMP2004WK-7 | Diodes(达尔（美台）) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:175pF @ 16V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):250mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:900mΩ@430mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.4A |
| 小信号MOSFET | 2N7002LT1G | ON(安森美) | FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:115mA(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V 功率:225mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:7.5 欧姆 @ 500mA,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.115A 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA |
| 小信号MOSFET | RJP020N06T100 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:240mΩ@2A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2A |
| 小信号MOSFET | RJU003N03T106 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:24pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.1Ω@300mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.3A |
| 小信号MOSFET | RUC002N05T116 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | RJP020N06T100 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 4V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:240mΩ@2A,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:2A |
| 小信号MOSFET | RUC002N05T116 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):200mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | IRLML5103TRPBF | Infineon(英飞凌) | 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):540mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:75pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@600mA,10V FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:0.76A 封装/外壳:Micro3™/SOT-23 |
| 小信号MOSFET | 2SK3018T106 | ROHM(罗姆) | FET 类型:N 通道 漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:100mA(Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V,4V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:8 欧姆 @ 10mA,4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100µA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V 功率耗散（最大值）:200mW(Ta) 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-70,SOT-323 |
| 小信号MOSFET | SI1013CX-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:450mA(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:2.5nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:45pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):190mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:760mΩ@400mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-89 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.45A |
| 小信号MOSFET | SI1077X-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31.1nC @ 8V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:965pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):330mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SC-89-6 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:1.75A Rds On(Max)@Id,Vgs:65mΩ 漏源极电压Vds:0.4V |
| 小信号MOSFET | SI2328DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:5nC @ 10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 连续漏极电流Id:1.15A Pd-功率耗散(Max):0.73W Qg-栅极电荷:3.3nC Rds On(Max)@Id,Vgs:250mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:11ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:9ns 典型接通延迟时间:7ns 宽度:1.60mm 正向跨导 - 最小值:4S 系列:SI2 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:2.9mm 高度:1.45mm |
| 小信号MOSFET | SI8821EDB-T2-E1 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:440pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):500mW(Ta) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:MicroFoot-4 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:2.3A Rds On(Max)@Id,Vgs:128mΩ |
| 小信号MOSFET | RYC002N05T316 | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:26pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):350mW(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | RUM002N05T2L | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | RYM002N05T2CL | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:0.9V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:26pF @ 10V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | RZM002P02T2L | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:1.4nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:115pF @ 10V 栅极电压Vgs:±10V Pd-功率耗散(Max):150mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2Ω@200mA,4.5V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:VMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:0.2A |
| 小信号MOSFET | RRL035P03TR | ROHM(罗姆) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:8nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):320mW(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TUMT FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A |
| 小信号MOSFET | SI1308EDL-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:4.1nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:105pF @ 15V 栅极电压Vgs:±12V Pd-功率耗散(Max):400mW(Ta),500mW(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-323-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:1.5A Rds On(Max)@Id,Vgs:132mΩ |
| 小信号MOSFET | SI2374DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.8V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:735pF @ 15V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):96mW,80mW Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@4A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-236 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:4.5A |
| 小信号MOSFET | UM6K31NTN | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4Ω@250mA,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):150mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:0.25A |
| 小信号MOSFET | UM6K33NTN | ROHM(罗姆) | Rds On(Max)@Id,Vgs:2.2Ω@200mA,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 1mA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):120mW 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:UMT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:50V 连续漏极电流Id:0.2A |