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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 电路监控 | TC1271ALVRCTR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.63V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-143 |
| 电路监控 | MCP120T-485I/TT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.725V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | TC1232EOE | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 电路监控 | MCP101-300HI/TO | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:2.925V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 电路监控 | APX803D-29SRG-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 1 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT23R |
| 电路监控 | TC1270ANSVCTTR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | MCP809T-270I/TT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:2.625V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 通用芯片 | BD46315G-TR | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 45 ms 电压 - 阈值:3.1V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
| AC-DC转换器 | APR3415MTR-G1 | Diodes(达尔（美台）) | 电压 - 电源:3.3 V ~ 6 V 电流 - 电源:100µA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO |
| 电路监控 | BU4844F-TR | ROHM(罗姆) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压-阈值:4.4V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-SOP |
| 电路监控 | MCP111T-240E/TT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:2.32V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 通用芯片 | BU4821F-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:4-TSOP FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 电压 - 阈值:2.1V |
| 电路监控 | TC1270ATVRCTR | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-143 |
| 电路监控 | STM818LM6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.65V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 电路监控 | MCP101-300DI/TO | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:2.925V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| LDO(低压差线性稳压器) | AS7805ADTR-G1 | Diodes(达尔（美台）) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:25V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1A PSRR:70dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-252-2 电流-电源:6mA |
| 电路监控 | TC54VN3002ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | APX823-29W5G-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-25 |
| 电路监控 | MCP111T-450E/LB | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-70-3 |
| LDO(低压差线性稳压器) | XC6210B252MR-G | Torex(特瑞仕) | 输出电压:2.5V 封装/外壳:SOT-25 输出配置:正 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:6V 电压 - 输出（最小值/固定）:2.5V 压降（最大值）:0.09V @ 100mA 电流 - 输出:700mA 电流 - 静态（Iq):55µA PSRR:60dB(1kHz) 控制特性:使能 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 电路监控 | APX810-40SAG-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 通用芯片 | BD45452G-TR | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 180 ms 电压 - 阈值:4.5V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
| 电路监控 | MCP100T-315I/TT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:3.075V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| LDO(低压差线性稳压器) | XC6210B302MR-G | Torex(特瑞仕) | 输出电压:3V 封装/外壳:SOT-25 输出配置:正 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:6V 电压 - 输出（最小值/固定）:3V 压降（最大值）:0.075V @ 100mA 电流 - 输出:700mA 电流 - 静态（Iq):55µA PSRR:60dB(1kHz) 控制特性:使能 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 通用芯片 | BD49K23G-TL | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压 - 阈值:2.3V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
| 通用芯片 | STBP120AVDK6F | ST(意法半导体) | 电流-电源:170µA 电压-电源:1.2 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:10-TDFN(2.5x2.0) |
| 电路监控 | STM6321TWY6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | STM1061N25WX6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:标准传输延迟为 30 µs 电压-阈值:2.5V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | MCP130T-460I/TT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:4.475V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | TC54VN3302ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| LDO(低压差线性稳压器) | XC6206P252MR-G | Torex(特瑞仕) | 输出电压:2.5V 封装/外壳:SOT-23 输出配置:正 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:6V 电压 - 输出（最小值/固定）:2.5V 压降（最大值）:0.71V @ 100mA 电流 - 输出:150mA 电流 - 静态（Iq):3µA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) |
| 电路监控 | MCP1321T-29KE/OT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.9V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | APX825A-40W6G-7 | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-26 |
| 通用芯片 | BD45482G-TR | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 180 ms 电压 - 阈值:4.8V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
| 电路监控 | MCP1316MT-29ME/OT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.9V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | MCP101-315HI/TO | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 150 ms 电压-阈值:3.075V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-92-3 |
| 通用芯片 | BU4228F-TR | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SC-82 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压 - 阈值:2.8V |
| 电路监控 | MCP103T-450E/TT | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 80 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | TC1232CPA | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-PDIP |
| 电路监控 | TCM809LVNB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.63V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | TC1232COA713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:高有效/低有效 复位超时:最小为 250 ms 电压-阈值:4.37V,4.62V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 电路监控 | TC54VN1402ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:1.4V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TC54VN2702ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TC54VN2902ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:2.9V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TC54VC2702EMB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:2.7V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 电路监控 | TC54VC4202ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:4.2V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TC54VN4302ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压-阈值:4.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | TC54VC3002ECB713 | Microchip | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压-阈值:3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23A-3 |
| 电路监控 | STM1001MWX6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | STM1001TWX6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | STM1831L24WY6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:2.4V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 人工复位:Manual Reset 功率失效检测:Yes 工作电源电流(mA):0.8uA 欠电压阈值:2.3V 电池备用开关:Backup 电源电压-最大:6 V 电源电压-最小:1.6V 看门狗计时器:No Watchdog 系列:STM1831 被监测输入数:1 Input 输出类型:Active Low 过电压阈值:2.5V 重置延迟时间:55 us 阈值电压:1.6 V to 5.7 V |
| 电路监控 | STM1818TWX7F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开漏,双向 复位:低有效 复位超时:最小为 100 ms 电压-阈值:3.06V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 稳压器与电压控制器 | L4979D013TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:31V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.4V @ 150mA 电流-输出:150mA 电流-电源:20µA ~ 3mA PSRR:55dB(100Hz) 控制特性:使能,复位,看门狗 保护功能:超温,短路 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:8-SO 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:0.2V @ 150mA 电压 - 输入:5.6 V ~ 31 V |
| 功率因数修正(PFC) | L6564TDTR | ST(意法半导体) | 模式:间歇(跃迁) 电流-启动:90µA 电压-电源:10.3 V ~ 22.5 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:10-SSOP |
| 通用芯片 | L6615D013TR | ST(意法半导体) | 电流-电源:5mA 电压-电源:2.7 V ~ 22 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SO |
| 稳压器与电压控制器 | L6599DTR | ST(意法半导体) | 电压-电源:8.85 V ~ 16 V 电流-电源:3.5mA 工作温度:0°C ~ 105°C 封装/外壳:16-SO |
| 稳压器与电压控制器 | L7805CD2T-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:8mA PSRR:62dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 1A 电压 - 输入:最高 35V |
| 稳压器与电压控制器 | L78M05ABDT-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:500mA 电流-电源:6mA PSRR:62dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:D-Pak |
| 稳压器与电压控制器 | L7812CV-DG | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:12V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:8mA PSRR:55dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220 |
| 稳压器与电压控制器 | L6599ADTR | ST(意法半导体) | 电压-电源:8.85 V ~ 16 V 电流-电源:3.5mA 工作温度:0°C ~ 105°C 封装/外壳:16-SO |
| 稳压器与电压控制器 | L78L05ABUTR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:100mA 电流-电源:5.5mA ~ 6mA PSRR:49dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 通用芯片 | L7805ACD2T-TR | ST(意法半导体) | 系列:L7805 输出电流:1.5 A 极性:Positive 最大输入电压:35 V 负载调节:100 mV 线路调整率:50 mV 最小输入电压:7 V 输出电压:5 V PSRR/纹波抑制—典型值:68 dB 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:6mA PSRR:68dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:D2PAK 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 1A 电压 - 输入:最高 35V |
| 稳压器与电压控制器 | L7812CV | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:12V 压降（最大值）:2V @ 1A(标准) 电流-输出:1.5A 电流-电源:8mA PSRR:55dB(120Hz) 保护功能:超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 稳压器与电压控制器 | L78L33ABUTR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:30V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 电流-输出:100mA 电流-电源:5.5mA ~ 6mA PSRR:49dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-89-3 |
| 稳压器与电压控制器 | L78M15CDT-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:15V 电流-输出:500mA 电流-电源:6mA PSRR:54dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:D-Pak |
| 稳压器与电压控制器 | L78M05CDT-TR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:35V 电压-输出（最小值/固定）:5V 电流-输出:500mA 电流-电源:6mA PSRR:62dB(120Hz) 保护功能:过流,超温,短路 工作温度:0°C ~ 150°C 封装/外壳:D-Pak 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:2V @ 350mA 电压 - 输入:最高 35V |
| 稳压器与电压控制器 | LD1117S33CTR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:15V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.3V @ 800mA 电流-输出:800mA 电流-电源:10mA PSRR:75dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:1.1V @ 800mA 电压 - 输入:最高 15V |
| 稳压器与电压控制器 | LD1117S33CTR | ST(意法半导体) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压-输入（最大值）:15V 电压-输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.3V @ 800mA 电流-输出:800mA 电流-电源:10mA PSRR:75dB(120Hz) 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 跌落（典型值）:1.1V @ 800mA 电压 - 输入:最高 15V |
| 通用芯片 | NN32251A-VT | Panasonic(松下) | 电流-电源:22.6mA 电压-电源:4.6 V ~ 19.5 V 工作温度:-30°C ~ 85°C 封装/外壳:64-HQFP |
| 电路监控 | STM6717SVWY6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:1.575V,2.925V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | STM706AM6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 160 ms 电压-阈值:4.38V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 电路监控 | STM6710KWB6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:4 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:1.58V,2.93V,可调,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 电路监控 | STM6717TGGWY6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 600 ms 电压-阈值:1.11V,3.075V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | STM6780SWB6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.925V,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 电路监控 | STM704TM6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.075V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 电路监控 | STM6513REIEDG6F | ST(意法半导体) | 系列:Smart Reset™ FET类型:重置计时器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:2.625V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN(2x2) |
| 电路监控 | STM6717TZWY6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.313V,3.075V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | STM6315SDW13F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 112 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:SOT-143-4 |
| 电路监控 | STM6513VEIEDG6F | ST(意法半导体) | 系列:Smart Reset™ FET类型:重置计时器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极,推挽式 复位:高有效/低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:1.575V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN(2x2) |
| 电路监控 | STM809TWX6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 电路监控 | STM6822TWY6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.08V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | STM6510WCACDG6F | ST(意法半导体) | 系列:Smart Reset™ FET类型:重置计时器 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:可调节/可选择 电压-阈值:1.665V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TDFN(2x2) |
| 电路监控 | STM6720SFWB6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:3 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:1.05V,2.925V,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 电路监控 | STM6778SYWB6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.188V,2.925V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 电路监控 | STM6720SFWB6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:3 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:1.05V,2.925V,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 电路监控 | STM690SM6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.925V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 电路监控 | STM6905SFEDS6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:5 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:1.05V,2.955V,可调,可调,可调 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-MSOP |
| 电路监控 | STM6777SVWB6F | ST(意法半导体) | FET类型:多压监控器 受监控电压数:2 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:1.575V,2.925V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 电路监控 | STM6822ZWY6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | STM6823SWY6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:2.93V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-5 |
| 电路监控 | STM806TM6F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:3.075V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 电路监控 | STM812LW16F | ST(意法半导体) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:高有效 复位超时:最小为 140 ms 电压-阈值:4.63V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-143-4 |
| 通用芯片 | SEA05TR | ST(意法半导体) | 电流-电源:200µA 电压-电源:3.5 V ~ 36 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 通用芯片 | STWLC03JR | ST(意法半导体) | 封装/外壳:77-FLIP CHIP(3.12x4.73) |
| 参考电压 | TS2431AILT | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.5V 电压-输出（最大值）:24V 电流-输出:100mA 偏差:±1% 温度系数:±100ppm/°C 电流-阴极:1mA 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-3 |
| 参考电压 | TL431AIDT | ST(意法半导体) | 参考类型:分流器 输出类型:可调式 电压-输出（最小值/固定）:2.495V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:100mA 偏差:±1% 电流-阴极:700µA 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:8-SO |
| 稳压器与电压控制器 | UC3842BN | ST(意法半导体) | 上升时间:50ns 下降时间:50ns 占空比 - 最大:100% 封装/外壳:PDIP-8 工作电源电压:30V 开关频率:500kHz 拓扑结构:Boost,Flyback,Forward 系列:UC3842B 输出电压:4.90 V to 5.10 V 输出电流:1000 mA 输出端数量:1Output 工作温度:-40°C ~ 150°C |
| 稳压器与电压控制器 | UC3842BD1013TR | ST(意法半导体) | 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:正激 电压-启动:16V 电压-电源（Vcc/Vdd）:10 V ~ 30 V 占空比:96% 频率-开关:最高 500kHz 故障保护:限流 控制特性:频率控制 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 稳压器与电压控制器 | UC3842BD1013TR | ST(意法半导体) | 输出隔离:隔离 内部开关:无 拓扑:正激 电压-启动:16V 电压-电源（Vcc/Vdd）:10 V ~ 30 V 占空比:96% 频率-开关:最高 500kHz 故障保护:限流 控制特性:频率控制 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |
| 稳压器与电压控制器 | UC3843BD1013TR | ST(意法半导体) | 输出类型:晶体管驱动器 功能:升压/降压 输出配置:正,可提供隔离 拓扑:反激,升压 输出阶段:1 Ohms 电压-电源（Vcc/Vdd）:7.6 V ~ 30 V 频率-开关:250kHz 占空比（最大）:0.96 时钟同步:无 控制特性:频率控制 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO |