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> 三极管/双极型晶体管
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | F1842HD1200n: 0 | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1200V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1000A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 | |
| 通用三极管 | MMSTA63-7-Fn: 0 | 集电极-射极饱和电压:1.5V 直流电流增益hFE:10000 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:200mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:500mA 特征频率fT:125MHz | |
| 通用三极管 | 2SC5824T100Qn: | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:500mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:3A 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:120 特征频率fT:200MHz VEBO:6V VCBO:60V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | 2SC4672T100Qn: | 封装/外壳:TO-243AA 功率耗散Pd:500mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:3A 集电极-射极饱和电压:350mV 直流电流增益hFE:120 特征频率fT:210MHz VEBO:6V VCBO:60V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | 2SD2671TL | 封装/外壳:SOT-346T 功率耗散Pd:500mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:370mV 直流电流增益hFE:270 特征频率fT:280MHz VEBO:6V VCBO:30V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | DSA2401R0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | BSR43TApx | 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:1W 工作温度:-65℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:100MHz | |
| 通用三极管 | BCW68HTAp | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:250 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:330mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:800mA 特征频率fT:100MHz | |
| 通用三极管 | ZXTP03200BGTAn: | 集电极-射极饱和电压:275mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:1.25W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:200V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:105MHz | |
| 通用三极管 | 2STW100px | FET类型:NPN - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:3.5V @ 80mA,20A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10A,3V 功率:130W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:25A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V | |
| 通用三极管 | ZXTP25040DFLTAn | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:300 封装/外壳:SOT-23-3 功率耗散Pd:350mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:1.5A 特征频率fT:270MHz | |
| 通用三极管 | BC846B-7-Fn: 0 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:310mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:65V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:600mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:300MHz VEBO:6V VCBO:80V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 通用三极管 | 2SB1316TL | 封装/外壳:TO-252 功率耗散Pd:1W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-100V 集电极连续电流:-2A 集电极-射极饱和电压:-1.5V 直流电流增益hFE:1000 特征频率fT:50MHz VEBO:-8V VCBO:-100V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | DSA7003S0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | DSA2401S0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | 2SAR533PT100n: | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:500mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-3A 集电极-射极饱和电压:-400mV 直流电流增益hFE:180 特征频率fT:300MHz VEBO:-6V VCBO:-50V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | 2SCR514PT100n: | 电流-集电极（Ic）（最大值）:700mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 15mA,300mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,3V 功率:2W 频率-跃迁:320MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:MPT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.7A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V | |
| 通用三极管 | 2SCR553PT100n: | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:500mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:2A 集电极-射极饱和电压:350mV 直流电流增益hFE:180 特征频率fT:360MHz VEBO:6V VCBO:50V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | FZT951TAp | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:3W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-5A 集电极-射极饱和电压:-460mV 直流电流增益hFE:10 特征频率fT:120MHz VEBO:-7V VCBO:-100V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | DSC750500Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | RN4982FE,LF(CTn | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250uA,5mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V 产品状态:在售 封装/外壳:ES6 功率:100mW 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 电阻器-发射极(R2):10 千欧 电阻器-基极(R1):10 千欧 频率-跃迁:250MHz | |
| 通用三极管 | KSD363YTU | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1mA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 1A,5V 功率:40W 频率-跃迁:10MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V | |
| 通用三极管 | FZTA14TAp | 集电极-射极饱和电压:1.6V 直流电流增益hFE:20000 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:2W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:170MHz | |
| 通用三极管 | MMBT6427p | FET类型:NPN - 达林顿 Current-Collector(Ic)(Max):1.2A Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 500µA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:14000 @ 500mA,5V Power-Max:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) | |
| 通用三极管 | FZT1047ATAn: 0 | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:3W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:10V 集电极连续电流:5A 集电极-射极饱和电压:350mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:150MHz VEBO:7V VCBO:35V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | 2SA2088T106Qn: | 封装/外壳:SOT-323 功率耗散Pd:200mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-500mA 集电极-射极饱和电压:-500mV 直流电流增益hFE:120 特征频率fT:400MHz VEBO:-6V VCBO:-60V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | ZXT13N15DE6TAn: | 集电极-射极饱和电压:200mV 直流电流增益hFE:300 封装/外壳:SOT-23-6 功率耗散Pd:1.1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:15V 集电极连续电流:5A 特征频率fT:72MHz | |
| 通用三极管 | DTA024EUBTLn: 0 | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-50V 集电极连续电流:-30mA 集电极-射极饱和电压:-150mV 直流电流增益hFE:60 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:22K Ohms R2:22K Ohms | |
| 通用三极管 | RN2910FE,LF(CTn | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250uA,5mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V 产品状态:在售 封装/外壳:ES6 功率:100mW 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双) 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 电阻器-基极(R1):4.7 千欧 频率-跃迁:200MHz | |
| 通用三极管 | RN4987FE,LF(CTn | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250uA,5mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 产品状态:在售 封装/外壳:ES6 功率:100mW 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 电阻器-发射极(R2):47 千欧 电阻器-基极(R1):10 千欧 频率-跃迁:250MHz,200MHz | |
| 通用三极管 | DSC5002R0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | 2SB1561T100Qn: | 封装/外壳:TO-243AA 功率耗散Pd:2W FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-2A 集电极-射极饱和电压:-350mV 直流电流增益hFE:120 特征频率fT:200MHz 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | BC847A-7-Fn: 0 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:310mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:600mV 直流电流增益hFE:110 特征频率fT:300MHz VEBO:6V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 通用三极管 | DRA9143T0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | DSA7U01R0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | ZXTN04120HP5TCn | 集电极-射极饱和电压:1.5V 直流电流增益hFE:2000 封装/外壳:PowerDI™ 5 功率耗散Pd:3.2W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:120V 集电极连续电流:1.5A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用三极管 | 2SA1943N(S1,E,S) | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):3V @ 800mA,8A 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,5V 产品状态:在售 封装/外壳:TO-3P(N) 功率:150 W 工作温度:150°C(TJ) 晶体管类型:PNP 电压-集射极击穿(最大值):230 V 电流-集电极(Ic)(最大值):15 A 电流-集电极截止(最大值):5uA(ICBO) 频率-跃迁:30MHz | |
| 通用三极管 | 2SA1587-BL,LFn: | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 1mA,10mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):350 @ 2mA,6V 产品状态:在售 封装/外壳:SC-70 功率:100 mW 工作温度:125°C(TJ) 晶体管类型:PNP 电压-集射极击穿(最大值):120 V 电流-集电极(Ic)(最大值):100 mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率-跃迁:100MHz | |
| 通用三极管 | RN4904FE,LF(CTn | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250uA,5mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 产品状态:在售 封装/外壳:ES6 功率:100mW 晶体管类型:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 电阻器-发射极(R2):47 千欧 电阻器-基极(R1):47 千欧 频率-跃迁:250MHz,200MHz | |
| 通用三极管 | 2SD1733TLQn: 0 | 封装/外壳:SOT-428 功率耗散Pd:1W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1A 集电极-射极饱和电压:400mV 直流电流增益hFE:120 特征频率fT:100MHz VEBO:5V VCBO:120V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | DSC500200Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | BUL742Cpx | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 1A,3.5A 电流-集电极截止（最大值）:250µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 800mA,3V 功率:70W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V | |
| 通用三极管 | DSA7102S0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | ZX5T953GTAn: 0 | 集电极-射极饱和电压:340mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:3W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:5A 特征频率fT:125MHz | |
| 通用三极管 | RN2706JE(TE85L,F) | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250uA,5mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 产品状态:在售 封装/外壳:ESV 功率:100mW 晶体管类型:2 PNP - 预偏压(双)(耦合发射器) 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 电阻器-发射极(R2):47 千欧 电阻器-基极(R1):4.7 千欧 频率-跃迁:200MHz | |
| 通用三极管 | ZX5T853GTAn: 0 | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:3W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:100V 集电极连续电流:6A 集电极-射极饱和电压:220mV 直流电流增益hFE:30 特征频率fT:130MHz VEBO:7V VCBO:200V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | 2STW200px | FET类型:PNP - 达林顿 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:3.5V @ 80mA,20A 电流-集电极截止（最大值）:500µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10A,3V 功率:130W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:25A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V | |
| 通用三极管 | ZTX601Bpx | 集电极-射极饱和电压:1.2V 直流电流增益hFE:10000 封装/外壳:E-Line(TO-92 兼容) 功率耗散Pd:1W 工作温度:-55℃~200℃(TJ) 晶体管类型:NPN-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:160V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:250MHz | |
| 通用三极管 | DSS4240Y-7n: 0 | 集电极-射极饱和电压:320mV 直流电流增益hFE:300 封装/外壳:SOT-363 功率耗散Pd:625mW 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:250MHz | |
| 通用三极管 | ZXTP19020DFFTAn | 集电极-射极饱和电压:175mV 直流电流增益hFE:300 封装/外壳:SOT-23F 功率耗散Pd:1.5W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:5.5A 特征频率fT:176MHz | |
| 通用三极管 | DSC7Q01R0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | DSA7004S0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | DSC7003S0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | DSC7Q0100Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | MJE170STU | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.7V @ 600mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 100mA,1V 功率:1.5W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V | |
| 通用三极管 | BC817-16-7-Fn: | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:310mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:700mV 直流电流增益hFE:100 特征频率fT:100MHz VEBO:5V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 通用三极管 | PZT751T1G | 封装/外壳:SOT-223 功率耗散Pd:800mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-60V 集电极连续电流:-2A 集电极-射极饱和电压:-500mV 直流电流增益hFE:75 特征频率fT:75MHz VEBO:-5V VCBO:-80V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 通用三极管 | KSA916YTA | Current-Collector(Ic)(Max):800mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,5V Power-Max:900mW 频率-跃迁:120MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92L FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.8A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V | |
| 通用三极管 | DSC2P01Q0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | 2SD2702TL | 封装/外壳:SOT-323T 功率耗散Pd:400mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:12V 集电极连续电流:1.5A 集电极-射极饱和电压:200mV 直流电流增益hFE:270 特征频率fT:400MHz VEBO:6V VCBO:15V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | 2SB1690TL | 封装/外壳:SC-96 功率耗散Pd:500mW FET类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-12V 集电极连续电流:-2A 集电极-射极饱和电压:-180mV 直流电流增益hFE:270 特征频率fT:360MHz VEBO:-6V VCBO:-15V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | RN1962TE85LFn: | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250uA,5mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V 产品状态:最后售卖 封装/外壳:US6 功率:500mW 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 电阻器-发射极(R2):10 千欧 电阻器-基极(R1):10 千欧 频率-跃迁:250MHz | |
| 通用三极管 | FJP5304DTUn: 0 | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 500mA,2.5A 电流-集电极截止（最大值）:250mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A,5V 功率:70W 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V | |
| 通用三极管 | BD238STUp | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:25 @ 1A,2V 功率:25W 频率-跃迁:3MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-225AA,TO-126-3 封装/外壳:TO-126 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:80V | |
| 通用三极管 | ZTX603STZ | 集电极-射极饱和电压:1V 直流电流增益hFE:2000 封装/外壳:E-Line(TO-92 兼容) 功率耗散Pd:1W 工作温度:-55℃~200℃(TJ) 晶体管类型:NPN-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:150MHz | |
| 通用三极管 | BST52TApx | 集电极-射极饱和电压:1.3V 直流电流增益hFE:1000 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:500mA | |
| 通用三极管 | DTD113ZKT146n: | 封装/外壳:SOT-346 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:82 特征频率fT:200MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:1K Ohms R2:10K Ohms | |
| 通用三极管 | DTD123YKT146n: | 封装/外壳:SOT-346 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:56 特征频率fT:200MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:2.2K Ohms R2:10K Ohms | |
| 通用三极管 | MMBT5210p | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 100µA,5V 功率:7/20W 频率-跃迁:30MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | ZTX705STZ | 集电极-射极饱和电压:2.5V 直流电流增益hFE:3000 封装/外壳:E-Line(TO-92 兼容) 功率耗散Pd:1W 工作温度:-55℃~200℃(TJ) 晶体管类型:PNP-达林顿 集电极-发射极最大电压VCEO:120V 集电极连续电流:1A 特征频率fT:160MHz | |
| 通用三极管 | DSA900100Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | BCV72px;c | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 500µA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 2mA,5V Power-Max:350mW 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 | |
| 通用三极管 | ZXTP19060CGTAn: | 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:200 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:3W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:5A 特征频率fT:180MHz | |
| 通用三极管 | DSC7101S0Ln: 0 | ||
| 通用三极管 | KSD882YSTUn: 0 | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 1A,2V Power-Max:1W 频率-跃迁:90MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-126-3 封装/外壳:TO-126 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V | |
| 通用三极管 | FJL4315OTUn: 0 | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:3V @ 800mA,8A 电流-集电极截止（最大值）:5µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 1A,5V 功率:150W 频率-跃迁:30MHz 工作温度:-50°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA 封装/外壳:TO-264 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:17A 集电极_发射极击穿电压VCEO:250V | |
| 通用三极管 | 2SC5866TLQn: 0 | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA,2V Power-Max:500mW 频率-跃迁:200MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TSMT3 封装/外壳:TSMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V | |
| 通用三极管 | 2SD2673TL | 封装/外壳:SOT-346T 功率耗散Pd:500mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:30V 集电极连续电流:3A 集电极-射极饱和电压:250mV 直流电流增益hFE:270 特征频率fT:200MHz VEBO:6V VCBO:30V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | FMMT497TA | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:500mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:300V 集电极连续电流:500mA 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:80 特征频率fT:75MHz VEBO:5V VCBO:300V 工作温度:-55℃~150℃ | |
| 通用三极管 | ZXTN19060CGTAn: | 集电极-射极饱和电压:300mV 直流电流增益hFE:200 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:3W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:7A 特征频率fT:130MHz | |
| 通用三极管 | 2STF2550p | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:550mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:110 @ 2A,2V 功率:1.4W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V | |
| 通用三极管 | ZTX560STZ | 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:80 封装/外壳:E-Line(TO-92 兼容) 功率耗散Pd:1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:500V 集电极连续电流:150mA 特征频率fT:60MHz | |
| 通用三极管 | DTDG23YPT100n: | 封装/外壳:SOT-89 功率耗散Pd:1.5W FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:60V 集电极连续电流:1A 集电极-射极饱和电压:400mV 直流电流增益hFE:300 特征频率fT:80MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:2.2K Ohms R2:10K Ohms | |
| 通用三极管 | BU931Tpx; | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:10A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.8V @ 250mA,10A 电流-集电极截止（最大值）:100µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 5A,10V 功率:125W 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB 封装/外壳:TO-220 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:15A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V 300:直流电最大增益hFE 系列:BU931 连续集电极电流:10 A 最大功率消耗:125 W 最低工作温度:- 65 C 标准包装数量:1000 配置:Single 集电极-发射极最大电压VCEO:400 V 发射机-基极电压VEBO:5 V 集电极-发射极饱和电压:1.8 V 集电极最大直流电流:20 A 最高工作温度:+ 175 C | |
| 通用三极管 | MMSTA13T146n: 0 | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:300mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:5000 @ 10mA,5V 功率:7/20W 频率-跃迁:125MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SMT3 封装/外壳:SMT FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:0.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V | |
| 通用三极管 | ZTX955STZ | 集电极-射极饱和电压:330mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:E-Line(TO-92 兼容) 功率耗散Pd:1.2W 工作温度:-55℃~200℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:140V 集电极连续电流:3A 特征频率fT:110MHz | |
| 通用三极管 | 2SA1586-Y,LFn: | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 10mA,100mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):120 @ 2mA,6V 产品状态:在售 封装/外壳:SC-70 功率:100 mW 工作温度:125°C(TJ) 晶体管类型:PNP 电压-集射极击穿(最大值):50 V 电流-集电极(Ic)(最大值):150 mA 电流-集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 频率-跃迁:80MHz | |
| 通用三极管 | RN1907,LF(CTn: | 不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 250uA,5mA 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V 产品状态:在售 封装/外壳:US6 功率:200mW 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式(双) 电压-集射极击穿(最大值):50V 电流-集电极(Ic)(最大值):100mA 电流-集电极截止(最大值):500nA 电阻器-发射极(R2):47 千欧 电阻器-基极(R1):10 千欧 频率-跃迁:250MHz | |
| 通用三极管 | DTC043EUBTLn: 0 | 封装/外壳:SOT-323FL 功率耗散Pd:200mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:150mV 直流电流增益hFE:20 特征频率fT:250MHz 工作温度:-55℃~150℃ R1:4.7K Ohms R2:4.7K Ohms | |
| 通用三极管 | BC847B-7-Fn: 0 | 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:310mW FET类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:45V 集电极连续电流:100mA 集电极-射极饱和电压:600mV 直流电流增益hFE:200 特征频率fT:300MHz VEBO:6V VCBO:50V 工作温度:-65℃~150℃ | |
| 通用三极管 | KSH2955TF | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:8V @ 3.3A,10A 电流-集电极截止（最大值）:50µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 4A,4V 功率:1.75W 频率-跃迁:2MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:10A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V | |
| 通用三极管 | KSB1151YSTUn: 0 | 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:160 @ 2A,1V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:10µA(ICBO) Power-Max:1.3W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-126-3 封装/外壳:TO-126 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V | |
| 通用三极管 | KSA992FATAn: 0 | 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA,6V 功率:1/2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.05A 集电极_发射极击穿电压VCEO:120V | |
| 通用三极管 | ZX5T2E6TA | 集电极-射极饱和电压:130mV 直流电流增益hFE:300 封装/外壳:SOT-23-6 功率耗散Pd:1.1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:20V 集电极连续电流:3.5A 特征频率fT:110MHz | |
| 通用三极管 | STE07DE220n: 0 | FET类型:NPN - 发射极切换式双极 电流-集电极（Ic）（最大值）:7A 电压-集射极击穿（最大值）:2200V 功率:220W 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:ISOTOP® | |
| 通用三极管 | FZT1149ATAn: 0 | 集电极-射极饱和电压:350mV 直流电流增益hFE:250 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:2.5W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:25V 集电极连续电流:4A 特征频率fT:135MHz | |
| 通用三极管 | STLD128DNT4n: 0 | 电流-集电极（Ic）（最大值）:4A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 400mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:250µA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:8 @ 2A,5V 功率:20W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:D-Pak 封装/外壳:DPAK FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:400V | |
| 通用三极管 | ZXTP03200BZTAn: | 集电极-射极饱和电压:260mV 直流电流增益hFE:100 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:1.1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:200V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:105MHz | |
| 通用三极管 | ZX5T3ZTAp | 集电极-射极饱和电压:185mV 直流电流增益hFE:200 封装/外壳:SOT-89-3 功率耗散Pd:2.1W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:40V 集电极连续电流:5.5A 特征频率fT:152MHz | |
| 通用三极管 | FZT792ATA | 集电极-射极饱和电压:500mV 直流电流增益hFE:300 封装/外壳:SOT-223-3 功率耗散Pd:2W 工作温度:-55℃~150℃(TJ) 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:70V 集电极连续电流:2A 特征频率fT:160MHz |