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> 三极管/双极型晶体管
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用三极管 | PBLS4001Y,115 | Nexperia(安世) | 封装/外壳:SOT363 FET类型:N+P-Channel 功率:3/10W 特征频率fT:100MHz 尺寸:2.1 x 1.25 x 0.95 直流电流增益hFE:30 集电极-发射极最大电压VCEO:50V 集电极-射极电阻:440mOhms 集电极-射极饱和电压:-350mV,-150mV |
| 通用三极管 | NE85639-T1-R27-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:12V 频率-跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA,10V 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-143 |
| 通用三极管 | NE681M03-T1-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:10V 频率-跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz 功率:1/8W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA,3V 电流-集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:M03 |
| 通用三极管 | 2N4126 | Central(中央半导体) | 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 2mA,1V 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:200mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:25V 电流放大倍数最小值hFE_Min:120 电流放大倍数最大值hFE_Max:360 |
| 通用三极管 | 2N6729 | Central(中央半导体) | |
| 通用三极管 | CEN-U05 | Central(中央半导体) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:350mV @ 25mA,250mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 500mA,1V 功率:1.75W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-202 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | 2N6028 | Central(中央半导体) | 电压:40V 功率:3/10W 电压-输出:6V 电压-偏移（Vt）:600mV 电流-栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流-谷值（Iv）:25µA 电流-峰值:150nA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
| 通用三极管 | 2N1711 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 15mA,150mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:4/5W 频率-跃迁:70MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N2369A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压-集射极击穿（最大值）:15V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:400nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA,350mV 功率:0.36W 频率-跃迁:500MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | CMUT5087E TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):100mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):50V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:225mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:390 @ 100µA,5V Power-Max:350mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-523 |
| 通用三极管 | CMPF5485 TR | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 电压-击穿（V（BR）GSS）:25V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:4mA @ 15V 漏极电流（Id）-最大值:30mA 不同Id时的电压-截止（VGS关）:500mV @ 10nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5pF @ 15V 功率:7/20W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPT918 TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:600MHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:11dB 功率:7/20W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 3mA,1V 电流-集电极（Ic）（最大值）:50mA 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPTA56 TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):80V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA,1V Power-Max:350mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CMPTA46 TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):500mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):450V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 10mA,10V Power-Max:350mW 频率-跃迁:20MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CXT5551 TR | Central(中央半导体) | FET类型:NPN Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):160V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:200mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 10mA,5V Power-Max:1.2W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用三极管 | CMPT2907A TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V Power-Max:350mW 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | CZT2907A TR | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel Current-Collector(Ic)(Max):600mA Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V Power-Max:2W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | MPSA14 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:1.2A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.5V @ 100µA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:20000 @ 100mA,5V 功率:5/8W 频率-跃迁:125MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92-3 封装/外壳:TO-92 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:30V 电流放大倍数最小值hFE_Min:20000 |
| 通用三极管 | B512F-2T | CRYDOM | SCR数，二极管:2 SCRs,2 个二极管 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:2.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:60mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | F1827HD1600 | CRYDOM | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:400A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | F1892HD1600 | CRYDOM | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:90A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1950A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | F1842HD1000 | CRYDOM | SCR数，二极管:1 SCR,1 个二极管 电压-断态:1000V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:40A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:1000A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | M505012F | CRYDOM | SCR数，二极管:2 SCRs,2 个二极管 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:50A(DC) 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:3V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:150mA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:600A @ 60Hz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:模块 |
| 通用三极管 | 2N6507G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:16A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流-保持（Ih）（最大值）:40mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A @ 60Hz SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | 2N6394TG | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:50V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | 2N6397G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:12A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | 2N6507TG | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:16A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流-保持（Ih）（最大值）:40mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:250A @ 60Hz SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | EC103M1 | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:12µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:510mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,20A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | L401E3 | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:逻辑 - 灵敏栅极 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16.7A,20A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:3mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 配置:单一 工作温度:-65°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | MCR718T4G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:75µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2.2V 电流-通态（It（AV））（最大值）:2.6A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:4A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:25A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:DPAK-3 |
| 通用三极管 | K2000SRP | Littelfuse(美国力特) | 电压-导通:190 ~ 215V 电流-击穿:10µA 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA Current-PeakOutput:1A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DO-214 |
| 通用三极管 | MCR08MT1G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | K1200G | Littelfuse(美国力特) | 电压-导通:110 ~ 125V 电流-击穿:10µA 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-峰值输出:1A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DO-15 |
| 通用三极管 | MCR72-8TG | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:2V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-220AB |
| 通用三极管 | K2200SRP | Littelfuse(美国力特) | 电压-导通:205 ~ 230V 电流-击穿:10µA 电流-保持（Ih）（最大值）:150mA 电流-峰值输出:1A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DO-214 |
| 通用三极管 | MAC4DCNT4G | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:标准 Voltage-OffState:800V Current-OnState(It(RMS))(Max):4A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:40A @ 60Hz 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DPAK-3 |
| 通用三极管 | MCR08MT1G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | NYC0102BLT1G | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:200V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:250mA 电流-保持（Ih）（最大值）:6mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:7A @ 60Hz SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-3(TO-236) |
| 通用三极管 | NE68133-T1B-A | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:10V 频率-跃迁:9GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.2dB @ 1GHz 增益:13dB 功率:1/5W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA,8V 电流-集电极（Ic）（最大值）:65mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 |
| 通用三极管 | NE46134-T1-AZ | CALIFORNIA EASTERN | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:15V 频率-跃迁:5.5GHz 噪声系数（dB，不同f时的典型值）:1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz 增益:7dB 功率:2W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 50mA,10V 电流-集电极（Ic）（最大值）:250mA 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用三极管 | 2N5115 | CALOGIC | 系列:军用,MIL-PRF-19500 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:60mA @ 15V 不同Id时的电压-截止（VGS关）:6V @ 1nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:25pF @ 15V 电阻-RDS（开）:100 欧姆 功率:1/2W 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18(TO-206AA) |
| 通用三极管 | QK025K6TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:1000V(1KV) 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:208A,250A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-218 隔离的标片 |
| 通用三极管 | Q4025K6TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:208A,250A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-218 隔离的标片 |
| 通用三极管 | S6X8BSRP | Littelfuse(美国力特) | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:510mA Current-OnState(It(RMS))(Max):800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:3µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-89 |
| 通用三极管 | Q4016NH3RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:16A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:167A,200A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:20mA 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | Q4010L4TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:400V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:10A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:100A,120A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:25mA 电流-保持（Ih）（最大值）:35mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-220 隔离的标片 |
| 通用三极管 | S6055NRP | Littelfuse(美国力特) | Voltage-OffState:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:40mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.8V 电流-通态（It（AV））（最大值）:35A Current-OnState(It(RMS))(Max):55A 电流-保持（Ih）（最大值）:60mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:550A,650A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | S4015LTP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:30mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:9.5A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:15A 电流-保持（Ih）（最大值）:40mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:188A,225A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220 隔离的标片 |
| 通用三极管 | Q6008N5RP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:标准 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:8A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:83A,100A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-263(D2Pak) |
| 通用三极管 | Q6025J6TP | Littelfuse(美国力特) | 三端双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器 电压-断态:600V 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.3V 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:208A,250A 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:80mA 电流-保持（Ih）（最大值）:100mA 配置:单一 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:TO-218X 隔离式 |
| 通用三极管 | S6025LTP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:1.5V 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:35mA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.6V 电流-通态（It（AV））（最大值）:16A 电流-通态（It（RMS））（最大值）:25A 电流-保持（Ih）（最大值）:50mA 电流-断态（最大值）:10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:300A,350A SCR类型:标准恢复型 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:TO-220 隔离的标片 |
| 通用三极管 | S6X8TSRP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.7V 电流-通态（It（AV））（最大值）:510mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:800mA 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:3µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:8A,10A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-223 |
| 通用三极管 | TCR22-8RP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:600V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.5V 电流-通态（It（AV））（最大值）:950mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:2µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,20A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | TCR22-6 | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.5V 电流-通态（It（AV））（最大值）:950mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,20A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | TCR22-6RP | Littelfuse(美国力特) | 电压-断态:400V 电压-栅极触发（Vgt）（最大值）:800mV 电流-栅极触发（Igt）（最大值）:200µA 电压-通态（Vtm）（最大值）:1.5V 电流-通态（It（AV））（最大值）:950mA 电流-通态（It（RMS））（最大值）:1.5A 电流-保持（Ih）（最大值）:5mA 电流-断态（最大值）:1µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）:16A,20A SCR类型:灵敏栅极 工作温度:-40°C ~ 110°C 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N5172 | Central(中央半导体) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:100mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:250mV @ 1mA,10mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,10V 功率:5/8W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 封装/外壳:TO-92 FET类型:NPN 集电极最大允许电流Ic:500mA 集电极_发射极击穿电压VCEO:25V 电流放大倍数最小值hFE_Min:100 电流放大倍数最大值hFE_Max:500 |
| 通用三极管 | 2N2907A | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压-集射极击穿（最大值）:60V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:2/5W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N2369A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:200mA 电压-集射极击穿（最大值）:15V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 10mA,100mA 电流-集电极截止（最大值）:400nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA,350mV 功率:0.36W 频率-跃迁:500MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N3416 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:50V 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:75 @ 2mA,4.5V 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N3415 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:25V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 3mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA,4.5V 功率:1.5W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N2219A | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:800mA 电压-集射极击穿（最大值）:40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1V @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:10nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,10V 功率:4/5W 频率-跃迁:300MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N3415 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压-集射极击穿（最大值）:25V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 3mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:100nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2mA,4.5V 功率:1.5W 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-92 |
| 通用三极管 | 2N6668 | Central(中央半导体) | FET类型:PNP - 达林顿 电流-集电极（Ic）（最大值）:10A 电压-集射极击穿（最大值）:80V 功率:65W 频率-跃迁:20MHz 封装/外壳:TO-220 |
| 通用三极管 | 2N4391 | Central(中央半导体) | FET类型:N-Channel 电压-击穿（V（BR）GSS）:40V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:150mA @ 20V 漏极电流（Id）-最大值:100pA 不同Id时的电压-截止（VGS关）:10V @ 1nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:14pF @ 20V 电阻-RDS（开）:30 欧姆 功率:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N6212 | Central(中央半导体) | 系列:军用,MIL-PRF-19500/461 FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:2A 电压-集射极击穿（最大值）:300V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:1.6V @ 125mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:5mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 1A,5V 功率:3W 工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-66(TO-213AA) |
| 通用三极管 | 2N4036 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:1A 电压-集射极击穿（最大值）:65V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:650mV @ 15mA,150mA 电流-集电极截止（最大值）:1µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA,10V 功率:1W 频率-跃迁:60MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | 2N4014 | Central(中央半导体) | FET类型:NPN 电压-集射极击穿（最大值）:50V 电流-集电极截止（最大值）:1.7µA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 100mA,1V 频率-跃迁:300MHz 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | 2N6027 | Central(中央半导体) | 电压:40V 功率:3/10W 电压-输出:6V 电压-偏移（Vt）:1.6V 电流-栅极至阳极漏（Igao）:10nA 电流-谷值（Iv）:50µA 电流-峰值:2µA 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
| 通用三极管 | 2N4398 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:30A 电压-集射极击穿（最大值）:40V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:4V @ 6A,30A 电流-集电极截止（最大值）:5mA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:15 @ 15A,2V 功率:5W 频率-跃迁:4MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-3 |
| 通用三极管 | 2N5322 | Central(中央半导体) | FET类型:P-Channel 电流-集电极（Ic）（最大值）:2A 电压-集射极击穿（最大值）:75V 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:700mV @ 50mA,500mA 电流-集电极截止（最大值）:500nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 500mA,4V 功率:10W 频率-跃迁:50MHz 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 封装/外壳:TO-39 |
| 通用三极管 | ZXTP722MATA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:2.5A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:260mV @ 200mA,1.5A 电流-集电极截止（最大值）:25nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:40 @ 1.5A,5V 功率:3W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DFN2020B-3 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2.7A 集电极_发射极击穿电压VCEO:70V |
| 通用三极管 | ZXTP720MATA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:3A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:370mV @ 250mA,2.5A 电流-集电极截止（最大值）:25nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 1.5A,2V 功率:3W 频率-跃迁:190MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DFN2020B-3 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:3.3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | ZXTP717MATA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极（Ic）（最大值）:4A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 150mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:25nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:180 @ 2.5A,2V 功率:3W 频率-跃迁:110MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:DFN2020B-3 封装/外壳:DFN FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:12V |
| 通用三极管 | ZXTP5401GTA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V Power-Max:2W 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V |
| 通用三极管 | ZXTP5401FLTA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):600mA 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 5mA,50mA 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:60 @ 10mA,5V Power-Max:330mW 频率-跃迁:100MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:0.6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:150V |
| 通用三极管 | ZXTP4003GTA | Diodes(达尔（美台）) | 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA,200mV 功率:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 通用三极管 | ZXTP25140BFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:260mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,2V 功率:1.25W 频率-跃迁:75MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:140V |
| 通用三极管 | ZXTP25100CFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:220mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 10mA,2V 功率:1.25W 频率-跃迁:180MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 通用三极管 | ZXTP25100BFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:295mV @ 200mA,2A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,2V 功率:1.25W 频率-跃迁:200MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2A 集电极_发射极击穿电压VCEO:100V |
| 通用三极管 | ZXTP25060BFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:235mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,2V 功率:1.25W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | 2N4392 | CALOGIC | FET类型:N-Channel 电压-击穿（V（BR）GSS）:40V 不同Vds（Vgs=0）时的电流-漏极（Idss）:25mA @ 20V 不同Id时的电压-截止（VGS关）:2V @ 1nA 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:14pF @ 20V 电阻-RDS（开）:60 欧姆 功率:1.8W 工作温度:-65°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:TO-18 |
| 通用三极管 | ZXTP25040DFLTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:300mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA,2V 功率:7/20W 频率-跃迁:270MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | ZXTP25040DFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:220mV @ 300mA,3A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA,2V Power-Max:1.25W 频率-跃迁:270MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:3A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | ZXTP25020DZTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:265mV @ 500mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA,2V Power-Max:2.4W 频率-跃迁:290MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | 2N5434 | CALOGIC | |
| 通用三极管 | ZXTP25020DGTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:355mV @ 600mA,6A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA,2V Power-Max:3W 频率-跃迁:290MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA 封装/外壳:SOT-223 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | ZXTP25020DFLTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:260mV @ 400mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA,2V 功率:7/20W 频率-跃迁:290MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | ZXTP25020DFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:180mV @ 400mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 10mA,2V 功率:1.25W 频率-跃迁:290MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | ZXTP25020CFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:210mV @ 200mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 10mA,2V Power-Max:1.25W 频率-跃迁:285MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | 2N5434 | CALOGIC | |
| 通用三极管 | ZXTP25020BFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:210mV @ 500mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA,2V Power-Max:1.25W 频率-跃迁:250MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:20V |
| 通用三极管 | ZXTP25012EZTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:285mV @ 450mA,4.5A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10mA,2V 功率:2.4W 频率-跃迁:310MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-89-3 封装/外壳:SOT-89 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:12V |
| 通用三极管 | ZXTP25012EFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:210mV @ 400mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:50nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:500 @ 10mA,2V Power-Max:1.25W 频率-跃迁:310MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:12V |
| 通用三极管 | ZXTP23140BFHTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:280mV @ 250mA,2.5A 电流-集电极截止（最大值）:20nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 1A,5V 功率:1.25W 频率-跃迁:130MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:2.5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:140V |
| 通用三极管 | ZXTP23015CFHTA | Diodes(达尔（美台）) | Current-Collector(Ic)(Max):5A 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:190mV @ 240mA,6A 电流-集电极截止（最大值）:20nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA,2V Power-Max:1.25W 频率-跃迁:270MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:6A 集电极_发射极击穿电压VCEO:15V |
| 通用三极管 | ZXTP2041FTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:500mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:300 @ 100mA,5V 功率:7/20W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:40V |
| 通用三极管 | ZXTP2039FTC | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA,5V 功率:7/20W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | ZXTP2039FTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:600mV @ 100mA,1A 电流-集电极截止（最大值）:100nA 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 500mA,5V 功率:7/20W 频率-跃迁:150MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:1A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | ZXTP2027FTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:240mV @ 200mA,4A 电流-集电极截止（最大值）:20nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 2A,2V Power-Max:1.2W 频率-跃迁:165MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:4A 集电极_发射极击穿电压VCEO:60V |
| 通用三极管 | ZXTP2025FTA | Diodes(达尔（美台）) | 不同 Ib，Ic时的 Vce饱和值（最大值）:200mV @ 500mA,5A 电流-集电极截止（最大值）:20nA(ICBO) 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）:200 @ 500mA,2V 功率:1.2W 频率-跃迁:190MHz 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 集电极最大允许电流Ic:5A 集电极_发射极击穿电压VCEO:50V |