参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	ZXMN2A02N8TA
说明	通用MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SOIC
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	500
最小包	500
现货	1309 [库存更新时间：2024-05-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	8.3A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	18.9nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1900pF @ 10V
栅极电压Vgs	±12V
Pd-功率耗散(Max)	1.56W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	20m Ohms@11A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SOIC
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	10.2A