| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | ZXMHC6A07N8TC |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SOP SO |
| 品牌 | Diodes(达尔(美台)) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 201 [库存更新时间:2026-01-25] |
| FET类型 | 2个N通道和2个P通道(H桥) |
| 连续漏极电流Id | 1.39A,1.28A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250mΩ@1.8A,10V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 3.2nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 166pF @ 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 870mW |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 1.8A/1.42A |


