型号参数与资料
- 型号
- ZXMHC6A07N8TC
- 品牌
- Diodes(达尔（美台）)
- 类别
- 通用MOSFET
| FET类型 | 2个N通道和2个P通道(H桥) |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 1.39A,1.28A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 250mΩ@1.8A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.2nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 166pF @ 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 870mW |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 1.8A/1.42A |
通用MOSFET 8-SOP SO
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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