| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | ZXMHC3A01N8TC |
| 说明 | 小信号MOSFET SO |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 199 [库存更新时间：2025-11-24] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 125mΩ@2.5A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.9nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 190pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 870mW |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V |
| 连续漏极电流Id | 2.72A,2.06A |
IC普拉斯 元器件现货
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