| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | US6M1TR |
| 说明 | 功率MOSFET TUMT |
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 3000 |
| 现货 | 247 [库存更新时间：2025-04-02] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 240mΩ@1.4A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 70pF @ 10V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1W |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TUMT |
| FET类型 | N+P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 30V/20V |
| 连续漏极电流Id | 1.4A,1A |
IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 13172425630
芯普拉斯产品中心
productsUS6M1TR
产品概述
相关产品