参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STS9P3LLH6
说明	通用MOSFET   8-SOIC(0.154",3.90mm宽) SO
品牌	ST(意法半导体)
起订量	2000
最小包	2000
现货	4578 [库存更新时间：2024-04-23]
系列	STripFET™ H6
连续漏极电流Id	9A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	24nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2615pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.7W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	15m Ohms@4.5A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
封装/外壳	SO
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	9A