参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STL6P3LLH6
说明	通用MOSFET   8-PowerVDFN Power
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	591 [库存更新时间：2024-05-08]
系列	STripFET™ H6
连续漏极电流Id	6A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA(最小)
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	12nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1450pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.9W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	30m Ohms@3A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/外壳	Power
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	6A