| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | STS1DN45K3 |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SO SO |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 现货 | 125 [库存更新时间：1970-01-01] |
| 系列 | SuperMESH3™ |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 500mA |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 3.8 Ohms@500mA,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 6nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 150pF @ 25V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.3W |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 封装/外壳 | SO |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 450V |
| 连续漏极电流Id | 0.5A |
IC普拉斯 元器件现货
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