参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STR2N2VH5
说明	通用MOSFET   TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 SOT-23
品牌	ST(意法半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6167 [库存更新时间：2024-05-24]
系列	STripFET™ V
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA(最小)
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.6nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	367pF @ 16V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	350mW(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	30m Ohms@2A,4.5V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
封装/外壳	SOT-23
FET类型	N-Channel
最高工作温度	+ 150 C
350 mW	Pd - 功率消耗
最低工作温度	- 55 C
标准包装数量	3000
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	20V
栅极电压Vgs	8V
连续漏极电流Id	2.3A
Rds On(Max)@Id,Vgs	30mΩ
配置	Single
栅极电压Vgs	0.7V
6 nC	Qg - 闸极充电