参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STL4P2UH7
说明	通用MOSFET   6-PowerWDFN Power
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	125 [库存更新时间：2025-11-15]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VII
连续漏极电流Id	4A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.8V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	4.8nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	510pF @ 10V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	2.4W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	100mΩ@2A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	6-PowerWDFN
封装/外壳	Power
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	4A