型号参数与资料
- 型号
- STL4P2UH7
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | DeepGATE™,STripFET™ VII |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 4A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 1.8V,4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 4.8nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 510pF @ 10V |
| 栅极电压Vgs | ±8V |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.4W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 100mΩ@2A,4.5V |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 6-PowerWDFN |
| 封装/外壳 | Power |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 4A |
通用MOSFET 6-PowerWDFN Power
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
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