参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STL8P2UH7
说明	通用MOSFET   6-PowerWDFN Power
品牌	ST(意法半导体)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6125 [库存更新时间：2024-04-23]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VII
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	8A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	1.5V,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	22nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	2390pF @ 16V
栅极电压Vgs	±8V
Pd-功率耗散(Max)	2.4W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	22.5m Ohms@4A,4.5V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	6-PowerWDFN
封装/外壳	Power
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	8A