参数	值
产品	未分类
型号编码	STL22N65M5
说明	未分类   PowerFlat™(8x8)HV
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1
最小包	3000
现货	3000 [库存更新时间：1970-01-01]
110 W	Pd - 功率消耗
36 nC	Qg - 闸极充电
FET类型	N-Channel
最低工作温度	- 55 C
最高工作温度	+ 150 C
标准包装数量	3000
系列	STL22N65M5
连续漏极电流Id	15 A
Rds On(Max)@Id,Vgs	210 m0hms
漏源极电压Vds	650 V
栅极电压Vgs	4 V
上升时间	7.5 ns
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	15A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	36nC @ 10V
栅极电压Vgs	±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1345pF @ 100V
功率	2.8W(Ta),110W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	210 毫欧 @ 8.5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	PowerFlat™(8x8) HV