参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STL19N65M5
说明	通用MOSFET   4-PowerFlat™HV Power
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	490 [库存更新时间：2025-11-23]
系列	MDmesh™ V
连续漏极电流Id	2.3A(Ta),12.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	31nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1240pF @ 100V
栅极电压Vgs	±25V
Pd-功率耗散(Max)	2.8W(Ta),90W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	240m Ohms@7.5A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	4-PowerFlat™ HV
封装/外壳	Power
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650V
连续漏极电流Id	12.5A