参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STH3N150-2
说明	通用MOSFET   TO-263-3,D²Pak(2引线+凸片)变型 H2PAK
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2178 [库存更新时间：2025-04-05]
系列	PowerMESH™
连续漏极电流Id	2.5A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	29.3nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	939pF @ 25V
栅极电压Vgs	±30V
Pd-功率耗散(Max)	140W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	9Ω@1.3A,10V
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
封装/外壳	H2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	1500V
连续漏极电流Id	2.5A