参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	STH260N6F6-2
说明	通用MOSFET   TO-263-3,D²Pak(2引线+凸片)变型 H2PAK
品牌	ST(意法半导体)
起订量	1000
最小包	1000
现货	2460 [库存更新时间：2025-04-03]
系列	DeepGATE™,STripFET™ VI
连续漏极电流Id	180A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	183nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	11800pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.4m Ohms@60A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型
封装/外壳	H2PAK
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	180A