型号参数与资料
- 型号
- STH3N150-2
- 品牌
- ST(意法半导体)
- 类别
- 通用MOSFET
| 系列 | PowerMESH™ |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 2.5A(Tc) |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 29.3nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 939pF @ 25V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 140W(Tc) |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 9Ω@1.3A,10V |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 凸片)变型 |
| 封装/外壳 | H2PAK |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 1500V |
| 连续漏极电流Id | 2.5A |
通用MOSFET TO-263-3,D²Pak(2引线+凸片)变型 H2PAK
资料中的环保标注：否。适用声明需核对制造商文件。
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