参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	STGD5H60DF
说明	功率MOSFET   DPAK
品牌	ST(意法半导体)
起订量	0
最小包	0
现货	107 [库存更新时间：2025-04-04]
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	10A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	20A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	1.95V @ 15V,5A
Pd-功率耗散(Max)	83W
开关能量	56µJ(开),78.5µJ(关)
输入类型	标准
25°C 时 Td（开/关）值	30ns/140ns
测试条件	400V,5A,47 欧姆,15V
反向恢复时间（trr）	134.5ns
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	DPAK